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IXTH 35N30
IXTH 40N30
IXTM 40N30
10
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
8
6
4
2
V DS = 150V
I D = 21A
I G = 10mA
100 Limited by R DS(on)
10
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
1
1
10
100
300
Gate Charge - nCoulombs
Fig.9 Capacitance Curves
V DS - Volts
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
4500
4000
3500
3000
C iss
f = 1 MHz
V DS = 25V
80
70
60
50
2500
2000
40
30
T J = 125°C
1500
1000
500
0
C oss
C rss
20
10
0
T J = 25°C
0
5
10
15
20
25
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
Vds - Volts
Fig.11 Transient Thermal Impedance
D=0.5
V SD - Volts
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01 D=0.02
D=0.01
Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Time - Seconds
? 2000 IXYS All rights reserved
4-4
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